一、证券市场回顾
南财金融终端数据显示，昨日（5月25日，下同）上证综指日内上涨0.96%，收于4152.57点，最高4153.88点；深证成指日内上涨1.66%，收于15856.61点，最高15857.08点；创业板指日内上涨2.1%，收于4021.16点，最高4022.74点。
二、ETF市场表现
1、股票型ETF整体市场表现
昨日股票型ETF收益率中位数为1.08%。其中按照不同分类，规模指数ETF中南方上证科创板50成份增强策略ETF收益率最高，为6.52%；行业指数ETF中广发国证信创ETF收益率最高，为9.63%；策略指数ETF中质量ETF收益率最高，为2.42%；风格指数ETF中万家上证科创板成长ETF收益率最高，为5.02%；主题指数ETF中嘉实中证全指集成电路ETF收益率最高，为8.26%。
2、股票型ETF涨跌幅排行
昨日股票型ETF涨幅最高的3只ETF及其收益率分别为：广发国证信创ETF（9.63%）、嘉实中证全指集成电路ETF（8.26%）、国泰中证全指集成电路ETF（8.23%）。涨幅前10详情见下表：
昨日股票型ETF跌幅最大的3只ETF及其收益率分别为：华宝化工ETF（-2.91%）、富国中证电池主题ETF（-2.86%）、富国中证细分化工产业主题ETF（-2.85%）。跌幅前10详情见下表：
3、股票型ETF资金流向
昨日股票型ETF资金流入最多的3只ETF及其流入金额分别为：华夏国证消费电子主题ETF（流入6.88亿元）、南方中证申万有色金属ETF（流入5.79亿元）、华夏中证5G通信主题ETF（流入5.36亿元）。资金流入前10详情见下表：
昨日股票型ETF资金流出最多的3只ETF及其流出金额分别为：华夏沪深300ETF（流出57.41亿元）、易方达沪深300ETF（流出47.9亿元）、嘉实沪深300ETF（流出46.32亿元）。资金流出前10详情见下表：
4、股票型ETF融资融券概况
昨日股票型ETF融资买入额最高的3只ETF及其买入金额分别为：易方达创业板ETF（4.52亿元）、嘉实上证科创板芯片ETF（4.01亿元）、国泰中证全指通信设备ETF（3.93亿元）。融资买入额前10详情见下表：
昨日股票型ETF融券卖出额最高的3只ETF及其卖出金额分别为：南方中证1000ETF（7388.16万元）、华夏中证1000ETF（6429.54万元）、南方中证500ETF（5774.07万元）。融券卖出额前10详情见下表：
国金证券指出，从近期AI产业链多家公司业绩超预期的情况来看，AI短期、中期的需求都非常强劲。AI芯片互联能力对构建超节点系统至关重要，同时半导体设备正处在由AI需求驱动的“超级周期”中，先进封装业务增速预计超过50%。细分行业景气指标显示，PCB加速向上，半导体芯片、代工/设备/材料/零部件及封测均稳健向上。存储板块景气度上行，供给端减产效应显现，需求端云计算大厂投入启动。半导体设备方面，AI大模型驱动存储技术向3D化演进，叠加国内存储大厂扩产项目落地，国产半导体设备产业链有望迎来新一轮高速增长机遇。
②DRAM正处于 AI 驱动的新一轮超级景气周期爱建证券指出，从行业维度看，DRAM正处于 AI 驱动的新一轮超级景气周期。国产存储企业上市进程提速，先进封装市场空间广阔，半导体上游材料项目加速落地，产业链发展势头向好。受 AI 训练、AI 推理、高性能计算及 HBM 需求爆发驱动，全球DRAM市场规模预计从2025年的约1505亿美元增长至2030年的5710亿美元，复合增长率达到30.56%。行业景气度上行带动DRAM价格中枢显著抬升。产能扩张是中国DRAM厂商未来成长的核心驱动力，AI驱动下全球DRAM行业进入新一轮扩产与技术升级周期。当前海外三大原厂持续加大HBM产能投入，传统通用型DRAM供给阶段性收缩，国内厂商凭借扩产节奏及产品迭代，加速高端产品导入，持续承接结构性供需缺口。随着先进制程持续推进及高端产品占比提升，国内半导体设备及零部件厂商有望持续受益。
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